IGBT技術不能落后于應用要求。因此，英飛凌推出了最新一代IGBT芯片，以滿足特定應用的需求。
與逆變器設計應用功率或其各自的額定電流水平相關的開關速度和柔軟度要求是驅動這些不同類型的器件優化的主要驅動因素。這些型號包括具有快速開關特性的T4芯片，具有軟開關特性的P4芯片，以及具有T4和P4之間的開關速度的E4芯片。


隨著雜散電感的增加，IGBT的導通損耗降低，二極管損耗增加。雜散電感還可能引起振蕩，例如由電流突然變化引起的振蕩，這可能導致由于EMI或過電壓限制而導致器件使用受限。