1.總頻率差：由于指定時間內指定的工作和非工作參數的組合，晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率之間的最大頻率差。注意：總頻率差包括頻率溫度穩定性，頻率溫度精度，頻率老化率，頻率電源電壓穩定性和頻率負載穩定性引起的最大頻率差。
通常，它僅用于短期頻率穩定性的情況，并不是其他頻率穩定性指標嚴格要求的。例如：精確制導雷達。
2.頻率溫度穩定性：在標稱功率和負載下，在沒有隱含參考溫度或在指定溫度范圍內工作的隱含參考溫度的最大允許頻率偏移。 Ft =±（fmax-fmin）/（fmax + fmin）ftref =±max（fmax-fref）/ fref |，|（fmin-fref）/ fref |] ft：頻率溫度穩定性（無隱含參考溫度））ftref ：頻率溫度穩定性（隱含參考溫度）fmax：在指定溫度范圍內測量的最高頻率fmin：在指定溫度范圍內測量的最低頻率fref：由指定參考溫度測量的頻率說明：使用ftref指示器晶體振蕩器比具有ft指數的晶體振蕩器更難以產生，因此ftref指數的晶體振蕩器以更高的價格出售。
3.頻率穩定的預熱時間：根據晶體振蕩器的穩定輸出頻率，從上電到輸出頻率所需的時間小于指定的頻率容差。注意：在大多數應用中，晶體振蕩器長時間供電。
但是，在某些應用中，晶體振蕩器需要頻繁啟動和關閉。此時，需要考慮頻率穩定的預熱時間指示器（特別是對于粗糙度）。
在環境中使用的軍用通信站，當頻率溫度穩定要求≤±0.3ppm（-45°C~85°C）時，使用ocxo作為本地振蕩器，頻率穩定的預熱時間將為no不到5分鐘，只需要dtcxo。十秒鐘） 4.頻率老化率：在恒定環境條件下測量振蕩器頻率時振蕩器頻率與時間之間的關系。
這種長期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器電路元件的緩慢變化引起的。指定時限后的最大變化率（例如，±10 ppb /天，上電72小時后），或指定時限內的最大總時間。
表示頻率變化（例如，±1ppm /（第一年）和±5ppm /（十年））。注意：tcxo的頻率老化率為：±0.2ppm~±2ppm（第一年）和±1ppm~±5ppm（十年）（特殊情況除外，tcxo很少使用日常頻率老化率指標，即使在實驗中也是如此）腔室的條件，溫度變化引起的頻率變化也將大大超過溫度補償晶體振蕩器的頻率老化，因此該指標失去其實際意義）。
ocxo的頻率老化率為±0.5ppb~±10ppb /天（上電72小時后），±30ppb~±2ppm（第一年），±0.3ppm~±3ppm（十年）。 5.頻率電壓控制范圍：晶體振蕩器頻率的最小峰值從參考電壓調整到指定的終止電壓。
描述：參考電壓為+ 2.5v，額定端電壓為+ 0.5v和+ 4.5v，頻率控制晶體振蕩器在+ 0.5v頻率控制電壓下頻率變化為-110ppm，頻率受控在+ 4.5v頻率控制電壓。變化量為+ 130ppm，則vcxo電壓控制頻率的電壓控制范圍表示為：≥±100ppm（2.5v±2v）。
6.電壓控制頻率響應范圍：調制頻率變化時峰值頻率偏移與調制頻率之間的關系。通常，指定的調制頻率由低于指定調制參考頻率的dbs數表示。
描述：vcxo頻率電壓控制范圍的頻率響應為0~10khz.7。頻率電壓控制線性度：輸出頻率 - 輸入控制電壓傳輸特性與理想（直線）函數相比較，它表示整個范圍頻率偏差的百分比。
允許的非線性。描述：典型的vcxo頻率電壓控制線性度為：≤±10％，≤±20％。
簡單的vcxo頻率電壓控制線性計算方法是（當頻率電壓控制極性為正極性時）：頻率電壓控制線性度=±（（fmax-fmin）/ f0）×100％fmax：最大電壓下vcxo的輸出頻率 - 受控電壓fmin：vcxo輸出頻率最小壓控電壓f0：電壓控制中心電壓頻率8.單邊帶相位噪聲￡（f）：偏離載波f，相位調制功率密度的比值邊帶到載波功率。