隨著全球多元化的發展，我們的生活也在不斷變化，包括我們接觸到的各種電子產品。然后，您一定不知道這些產品的某些組件，例如p溝道功率MOSFET。
幾天前，Vishay Intertechnology，Inc.（紐約證券交易所股票代碼：VSH）宣布首次推出-30 V p溝道功率MOSFET-SiRA99DP，在10 V時導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET＆amp ; reg;使用耐熱增強型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK＆reg;的第四代SiRA99DP導通電阻達到業界最低水平。
SO-8單片封裝，專門用于提高功率密度。當用作柵極整流器時，MOSFET是主要的開關晶體管，具有提高效率的作用。
為了選擇最適合電源應用的開關，本設計示例比較了P通道和N通道增強模式MOSFET。幾天前發布的MOSFET的導通電阻比市場上排名第二的產品低43％，從而降低了電壓降并降低了傳導損耗，從而實現了更高的功率密度。
SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC，這是柵極電荷與導通電阻的乘積，也就是說，MOSFET在開關應用中的重要品質因數（FOM）為185 mW * nC，達到同類產品的最佳水平產品。由于其較低的導通電阻（RDS（on））和較小的尺寸，在產品選擇中，N溝道MOSFET優于P溝道。
在降壓穩壓器的應用中，基于各種因素（例如柵極電壓極性，器件尺寸和串聯電阻），P溝道MOSFET或N溝道MOSFET用作主開關。同步整流器應用幾乎總是使用N溝道技術，主要是因為N溝道的RDS（on）小于P溝道的RDS（on），并且通過在柵極上施加正電壓來使其導通。
該器件是輸入電壓為12 V的電路的理想選擇，適用于適配器，電池和通用電源開關，反極性電池保護，OR-ing功能以及電信設備，服務器，工業PC和計算機的電機驅動控制。機器人。
SiRA99DP減少了并行設備的數量，換句話說，增加了單個設備的電流，從而提高了功率密度并節省了這些應用的主板空間。另外，作為p溝道MOSFET，該器件不需要電荷泵來提供n溝道器件所需的正向柵極電壓。
在研究和設計過程中，必須存在此類問題，這要求我們的科研工作者不斷總結設計過程中的經驗，以促進產品的不斷創新。